型号:

UMG8NTR

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Rohm Semiconductor描述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-353
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
UMG8NTR PDF
产品目录绘图 UMAxNTR,UMG(x,xx)NTR,UMY1N
标准包装 1
系列 -
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) 47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 80 @ 10mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率 - 转换 250MHz
功率 - 最大 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353
供应商设备封装 UMT5
包装 标准包装
产品目录页面 1642 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 UMG8NDKR
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